旺宏电子股份有限公司萧逸璿获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010080361.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体元件及其制造方法是由萧逸璿设计研发完成，并于2020-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括:衬底，具有第一导电型；第一阱区，设置于所述衬底中且具有第二导电型；第二阱区，设置于所述衬底中且具有所述第一导电型；源极区与漏极区，具有所述第二导电型，分别设置于所述第二阱区与所述第一阱区中；隔离结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间；栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底上，其中所述栅极结构覆盖部分的所述隔离结构；第一顶掺杂区，设置于所述源极区下方的所述第二阱区中且具有所述第一导电型；以及第二顶掺杂区，设置于所述隔离结构下方的所述第一阱区中且具有所述第一导电型。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括: 衬底，具有第一导电型； 第一阱区，设置于所述衬底中且具有第二导电型； 第二阱区，设置于所述衬底中且具有所述第一导电型； 源极区与漏极区，设置于所述衬底中且具有所述第二导电型，所述漏极区位于所述第一阱区中，所述源极区位于所述第二阱区中； 隔离结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间； 栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底上，其中所述栅极结构覆盖部分的所述隔离结构； 第一顶掺杂区，设置于所述源极区下方的所述第二阱区中且具有所述第一导电型；以及 第二顶掺杂区，设置于所述隔离结构下方的所述第一阱区中且具有所述第一导电型。
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