应用材料公司姜昌硕获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于3D NAND应用的存储单元制造获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980080402.8，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权用于3D NAND应用的存储单元制造是由姜昌硕;北岛智彦设计研发完成，并于2019-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于3D NAND应用的存储单元制造在说明书摘要公布了：本公开内容的实施方式提供一种用于形成具有精确轮廓和尺寸控制的阶梯状结构的设备和方法，用于制造三维3D堆叠的存储单元半导体装置。在一个实施方式中，一种存储单元装置包括：膜堆叠，所述膜堆叠包括在基板上水平地形成的交替对的介电层和导电结构；和开口，所述开口形成在膜堆叠中，其中开口填充有金属介电层、多层结构和中心填充层，其中开口中的金属介电层与导电结构界面连接。
本发明授权用于3D NAND应用的存储单元制造在权利要求书中公布了：1.一种存储单元装置，包括： 膜堆叠，所述膜堆叠包括在基板上水平地形成的交替对的介电层和导电结构，其中所述导电结构的第一导电结构包括金属材料和覆盖所述金属材料的阻挡层；和 开口，所述开口形成在所述膜堆叠中，其中所述开口填充有蚀刻终止层、金属介电层、多层结构和中心填充层，所述多层结构包括第一氧化物层、第二氧化物层、设置在所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间的氮化物层、和多晶硅层，其中所述第二氧化物层设置在所述氮化物层与所述多晶硅层之间； 其中所述蚀刻终止层、所述金属介电层、所述多层结构和所述中心填充层垂直地设置在所述开口中，其中所述开口中的所述蚀刻终止层与所述第一导电结构界面连接，并且其中所述阻挡层设置在所述蚀刻终止层与所述金属材料之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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