北京怀柔实验室金锐获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利二极管结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168600U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521288087.7，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型二极管结构是由金锐;李翠;解建芳;郝夏敏;洪欣迪;和峰;刘江;崔翔设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种二极管结构。二极管结构包括：半导体基体，具有第一表面；第一掺杂区，自第一表面延伸至半导体基体中并具有位于第一表面中的多个第一预设区域，多个第一预设区域两两间隔设置，且第一预设区域的边线在第一表面中围成的图形为哑铃形；第二掺杂区，自第一表面延伸至半导体基体中且具有位于第一表面中的第二预设区域，第二预设区域为第一表面中除第一预设区域之外的区域，第一掺杂区和第二掺杂区中的至少一个与半导体基体的掺杂类型不同。通过本申请，解决了现有技术中二极管的抗浪涌能力较差的问题以及达到了二极管结构的浪涌电流工况和额定电流工况下的注入平衡的效果。
本实用新型二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种二极管结构，其特征在于，包括： 半导体基体，具有第一表面； 第一掺杂区，自所述第一表面延伸至所述半导体基体中并具有位于所述第一表面中的多个第一预设区域，多个所述第一预设区域两两间隔设置，且所述第一预设区域的边线在所述第一表面中围成的图形为哑铃形； 第二掺杂区，自所述第一表面延伸至所述半导体基体中且具有位于所述第一表面中的第二预设区域，所述第二预设区域为所述第一表面中除所述第一预设区域之外的区域； 所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中的至少一个与所述半导体基体的掺杂类型不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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