华南师范大学高芳亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110707218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910920022.2，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权一种氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法是由高芳亮;刘青;李述体;张柏林;罗幸君;孙一鸣;施江设计研发完成，并于2019-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：硅衬底、甲基氨基碘化铅层和电极；所述硅衬底的上表面形成有多个平行排列的凹槽；所述硅衬底的上表面的凸起部的表面覆盖有绝缘层；所述凹槽的两个内侧壁上分别外延生长有氮化镓微米线，所述氮化镓微米线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向相同，所述氮化镓微米线形成平行的微米线阵列；所述电极设置在所述硅衬底的上表面，所述甲基氨基碘化铅层涂覆在所述硅衬底的上表面以覆盖所述电极以及氮化镓微米线进而形成双异质结。该光电探测器的暗电流低、响应速度快、开关电流比高以及探测范围长，综合性能好，并且器件结构简单，易于制造。
本发明授权一种氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓微米线阵列光电探测器，其特征在于，包括：硅衬底、甲基氨基碘化铅层和电极；所述硅衬底的上表面形成有多个平行排列的凹槽；所述硅衬底的上表面的凸起部的表面覆盖有绝缘层；所述凹槽的两个内侧壁上分别外延生长有氮化镓微米线，所述氮化镓微米线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向相同，所述氮化镓微米线形成平行的微米线阵列；所述电极设置在所述硅衬底的上表面，所述甲基氨基碘化铅层涂覆在所述硅衬底的上表面以覆盖所述电极以及氮化镓微米线进而形成双异质结。
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