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申请/专利权人：衡阳晶体管有限公司
申请日：2007-11-24
公开（公告）日：2008-12-24
公开（公告）号：CN201171045Y
专利技术分类：
专利摘要：一种以NTD硅单晶制作的N－N+P+网状埋层扩散抛光片，包括单晶硅衬底，其特征是单晶硅衬底上面有呈网状分布的降耗埋层。其均匀性可控制在8％以内，高阻区厚度控制可在±7.5μm范围内，单晶层的缺陷密度远远低于外延层，可完全取代外延基片，用它制造电力电子器件，不仅能大大降低制造成本，还能提高器件的各项性能指标，击穿电压高，体表面缺陷少，合格率高，具有相当高的技术附加值，尤其在高压VDMOS、IGBT等新型元器件的材料应用中有着广阔的市场前景。
专利权项：1、一种N-N+P+网状埋层扩散抛光片，包括单晶硅衬底1，其特征是单晶硅衬底1上面有呈网状分布的降耗埋层2。
百度查询： 衡阳晶体管有限公司 <100>N－/N+/P+网状埋层扩散抛光片
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