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申请/专利权人：松下电器产业株式会社
申请日：2011-10-27
公开（公告）日：2012-09-12
公开（公告）号：CN102668094A
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本发明的半导体元件具备：第1导电型的半导体基板；半导体基板上的第1导电型的第1碳化硅半导体层；第1碳化硅半导体层内的第2导电型的体区域；体区域内的第1导电型的杂质区域；第1碳化硅半导体层上的第1导电型的第2碳化硅半导体层；第2碳化硅半导体层上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；与杂质区域连接的第1欧姆电极；和半导体基板背面的第2欧姆电极。体区域包括第1体区域以及第2体区域，第1体区域的平均杂质浓度为第2体区域的平均杂质浓度的2倍以上，所述杂质区域的底面，位于比所述第1体区域的底面更深的位置。
专利权项：一种半导体元件，其具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型的第1碳化硅半导体层，其位于所述半导体基板的主面上；第2导电型的体区域，其位于所述第1碳化硅半导体层内；第1导电型的杂质区域，其位于所述体区域内；第1导电型的第2碳化硅半导体层，其在所述第1碳化硅半导体层上，分别与所述体区域以及所述杂质区域的至少一部分相接地配置；所述第2碳化硅半导体层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的栅电极；第1欧姆电极，其与所述杂质区域电连接；和第2欧姆电极，其设置在所述半导体基板的背面，所述第2导电型的体区域，包括与所述第1碳化硅半导体层的表面相接的第1体区域、和与所述第2导电型的体区域的底面相接的第2体区域，所述第1体区域的平均杂质浓度，是所述第2体区域的平均杂质浓度的2倍以上，所述杂质区域的底面，位于比所述第1体区域底面更深的位置。
百度查询： 松下电器产业株式会社 半导体元件以及半导体装置
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