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申请/专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日：2010-07-22
公开（公告）日：2014-08-06
公开（公告）号：CN101964586B
专利技术分类：.除自动断开以外的用于保护变换器的装置[2007.01]
专利摘要：一种涌流控制电路，有选择地使包括开关晶体管Q1的电源的涌流限制电阻器R1的旁路短路，其中开关晶体管Q1具有根据脉冲宽度调制PWM驱动信号而驱动的控制端栅极或基极。涌流控制电路包括旁路晶体管Q3、第一电阻器R3、电容器C2、第二电阻器R2和二极管D3，其中二极管D3的阳极端连接至电源的开关晶体管Q1的一端。
专利权项：一种涌流控制电路，用于有选择地使包括高压侧开关晶体管Q1的电源的涌流限制电阻器R1的旁路短路，其中高压侧开关晶体管Q1包括由脉冲宽度调制PWM驱动信号驱动的控制端栅极或基极、第一电流路径端源极或发射极和第二电流路径端集电极或漏极，且其中涌流控制电路包括：旁路晶体管Q3，包括控制端栅极或基极、第一电流路径端源极或发射极和第二电流路径端漏极或集电极，在第一和第二电流路径端之间具有电流路径，其中电流路径与涌流限制电阻器R1并联；第一电阻器R3，具有连接至旁路晶体管Q3的控制端栅极或基极的第一电阻器端，还具有连接至旁路晶体管Q3的第一电流路径端源极或发射极的第二电阻器端；电容器C2，具有连接至旁路晶体管Q3的控制端栅极或基极的第一电容器端，还具有连接至旁路晶体管Q3的第一电流路径端源极或发射极的第二电容器端；第二电阻器R2，具有连接至旁路晶体管Q3的控制端栅极或基极的第一电阻器端，还具有第二电阻器端；以及二极管D3，其阴极端连接至第二电阻器R2的第二电阻器端，其阳极端连接至电源的高压侧开关晶体管Q1的控制端栅极或基极。
百度查询： 英特赛尔美国股份有限公司 涌流控制器
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