申请/专利权人：绿菱电子材料(天津)有限公司;天津绿菱气体有限公司

申请日：2019-06-20

公开（公告）日：2019-12-24

公开（公告）号：CN110606490A

主分类号：C01B33/107(20060101)

分类号：C01B33/107(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.09#授权;2020.01.17#实质审查的生效;2019.12.24#公开

摘要：本发明提出一种高纯四氟化硅的合成及纯化方法。一种高纯四氟化硅的合成及纯化方法，包括以下步骤：氟硅酸盐的预处理；氟硅酸盐经裂解反应制备四氟化硅粗料；在第一吸附工段脱除痕量水分及酸性气体；在第二吸附工段对氟硅醚进行脱除与阻聚控制；在精馏工段对轻组分和重组分进行分离；通过复杂精馏工段对恒沸物杂质进行分离。本发明提出的高纯四氟化硅的合成及纯化方法，其将加热裂解、吸附单元操作、精馏和复杂精馏科学组合，通过采用吸附单元脱除氟硅醚，通过常规精馏单元操作后增加复杂精馏工艺去除恒沸物。

主权项：1.一种高纯四氟化硅的合成及纯化方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1步骤：氟硅酸盐的预处理；S2步骤：氟硅酸盐经裂解反应制备四氟化硅粗料；S3步骤：在第一吸附工段脱除痕量水分及酸性气体；S4步骤：在第二吸附工段对氟硅醚进行脱除与阻聚控制；S5步骤：在精馏工段对轻组分和重组分进行分离；S6步骤：通过复杂精馏工段对恒沸物杂质进行分离。

全文数据：

权利要求：

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