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申请/专利权人：西北大学
摘要：本发明公开了一种Bi2S3‑HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，包括：步骤一：准备第一燃烧管，取HfCl4粉末置于温区二中心下游方向，取硫粉置于温区二中心上游方向，取基底置于温区一中心处；步骤二：对第一燃烧管密封并进行真空处理后，通过进气口向第一燃烧管内通入惰性气体和还原性气体后，对第一燃烧管的各温度区进行加热，制备得到HfS2薄膜；步骤三：准备第二燃烧管，取Bi2O3粉末置于温区三中心处，取硫粉置于温区四中心上游方向，将步骤二制得的HfS2薄膜作为新基底置于温区三中心下游方向；步骤四，对第二燃烧管密封并进行真空处理后，向第二燃烧管内通入惰性气体后，对第一燃烧管的各温度区进行加热，得到Bi2S3‑HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜。
主权项：1.一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置，其特征在于，该装置包括：第一燃烧管1，所述第一燃烧管1包括第一进气口101与第一出气口102，所述第一燃烧管1中靠近第一出气口102的一端设有温区一103，靠近第一进气口101的一端设有温区二104，所述第一进气口101方向为上游方向，第一出气口102方向为下游方向。第二燃烧管2，所述第二燃烧管2包括第二进气口201与第二出气口202，所述第二燃烧管2中靠近第二出气口202的一端设有温区三203，靠近第二进气口201的一端设有温区四204，所述第二进气口201方向为上游方向，第二出气口202方向为下游方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北大学 一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法
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