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一种BiVO4/MnOOH薄膜电极及其制备方法和在光生阴极防腐中的应用 

申请/专利权人:台州学院;台州市生物医化产业研究院有限公司

申请日:2020-11-02

公开(公告)日:2021-08-24

公开(公告)号:CN113293382A

主分类号:C23F13/14(20060101)

分类号:C23F13/14(20060101);C25D9/04(20060101);C23C18/12(20060101);C23C28/04(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.10#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开

摘要:本发明提供了一种BiVO4MnOOH薄膜电极的制备方法,属于防腐材料技术领域。本发明所得BiVO4MnOOH薄膜电极能够吸收可见光,有效拓宽了光阳能光谱的吸收范围;MnOOH的负载加速了开路电位下BiVO4电极表面的空穴转移速度,降低了载流子的复合速率,用于光生阴极防腐时,能够大幅增加光生电子向阴极金属材料的注入效率,有效促进阴极金属材料自腐蚀电位的负移,从而增强了阴极金属材料在含氯环境下的抗腐蚀能力。同时,MnOOH的负载避免了BiVO4光电极与溶液的直接接触,避免了BiVO4的化学腐蚀,进而提高了BiVO4MnOOH薄膜电极的稳定性。

主权项:1.一种BiVO4MnOOH薄膜电极,包括BiVO4薄膜基底和负载在所述BiVO4薄膜基底表面的MnOOH层。

全文数据:

权利要求:

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