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薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备 

申请/专利权人:乐金显示有限公司

申请日:2023-11-09

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118263284A

主分类号:H01L29/06

分类号:H01L29/06;H01L29/10;H01L29/786;H01L27/12

优先权:["20221226 KR 10-2022-0184668"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:提供了一种薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括:有源层;以及栅电极,栅电极至少部分地与有源层交叠。此外,有源层包括:第一有源层和第一有源层上的第二有源层;沟道;第一连接部,第一连接部与沟道的第一侧接触;以及第二连接部,第二连接部与沟道的第二侧接触。另外,沟道包括:第一交叠区域,基于平面图,第一有源层与第二有源层在第一交叠区域中彼此交叠;以及第一非交叠区域,基于平面图,第一有源层与第二有源层在第一非交叠区域中彼此不交叠。此外,第一有源层和第二有源层中的每一个从第一连接部延伸到第二连接部。第二有源层的迁移率大于第一有源层的迁移率。

主权项:1.一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:有源层;以及栅电极,所述栅电极至少部分地与所述有源层交叠,其中,所述有源层包括:第一有源层和位于所述第一有源层上的第二有源层;沟道;第一连接部,所述第一连接部接触所述沟道的第一侧;以及第二连接部,所述第二连接部接触所述沟道的第二侧,其中,所述沟道包括:第一交叠区域,基于平面图,所述第一有源层与所述第二有源层在所述第一交叠区域中彼此交叠;以及第一非交叠区域,基于所述平面图,所述第一有源层与所述第二有源层在所述第一非交叠区域中彼此不交叠,其中,在所述有源层的所述沟道中,所述第一有源层和所述第二有源层中的每一个从所述第一连接部延伸到所述第二连接部,并且其中,所述第二有源层的迁移率大于所述第一有源层的迁移率。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备

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