申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司

申请日：2022-10-28

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN118266087A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.28#公开

摘要：本公开实施例提供一种薄膜晶体管装置及其制造方法、复合型刻蚀液及阵列基板，该方法包括：在衬底基板上形成包括有源材料层和欧姆接触材料层的有源结构材料层及源漏材料层；使用复合型刻蚀液对源漏材料层和有源结构材料层进行湿法刻蚀工艺，以形成源漏极层及包括欧姆接触层和有源层的有源结构，湿法刻蚀工艺包括使用复合型刻蚀液的第一刻蚀液刻蚀源漏材料层和氧化有源结构材料层的部分以及使用复合型刻蚀液的第二刻蚀液刻蚀有源结构材料层的被氧化部分，欧姆接触层位于与源漏极层在垂直于衬底基板的主表面的方向上交叠的区域内，且在垂直于衬底基板的主表面的方向上，欧姆接触层在衬底基板上的正投影位于源漏极层在衬底基板上的正投影范围内。

主权项：一种薄膜晶体管装置的制造方法，包括：在衬底基板上形成栅极层；在所述栅极层的一侧形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层的远离所述栅极层的一侧形成有源结构材料层，所述有源结构材料层包括有源材料层和欧姆接触材料层，且所述欧姆接触材料层形成于所述有源材料层的远离所述栅极绝缘层的一侧；在所述有源结构材料层的远离所述栅极绝缘层的一侧形成源漏材料层；以及使用图案化的掩膜层作为刻蚀掩膜，并使用所述复合型刻蚀液对所述源漏材料层和所述有源结构材料层进行湿法刻蚀工艺，以将所述源漏材料层和所述有源结构材料层图案化成源漏极层和有源结构，其中所述复合型刻蚀液包括第一刻蚀液和第二刻蚀液，且所述湿法刻蚀工艺包括使用所述第一刻蚀液刻蚀所述源漏材料层和氧化所述有源结构材料层的部分以及使用所述第二刻蚀液刻蚀所述有源结构材料层的被氧化部分，其中所述有源结构包括有源层和欧姆接触层，且所述有源结构具有交叠区、沟道区和拖尾区，所述交叠区与所述源漏极层在垂直于所述衬底基板的主表面的方向上交叠，所述沟道区位于所述交叠区之间，且所述拖尾区在平行于所述衬底基板的主表面的方向上远离所述沟道区侧向延伸超出所述源漏极层的边缘；其中所述欧姆接触层位于所述交叠区内，且在垂直于所述衬底基板的所述主表面的所述方向上，所述欧姆接触层在所述衬底基板上的正投影位于所述源漏极层在所述衬底基板上的正投影范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管装置及其制造方法、复合型刻蚀液及阵列基板

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