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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263143A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L23/544
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种测试单元及形成方法、测试结构及形成方法、测试方法，其中测试单元，包括：衬底；位于衬底上的第一导线，第一导线沿着第一方向延伸；位于第一导线表面的若干导电插塞，若干导电插塞沿着第一方向排布；位于导电插塞顶部表面的第二导线，第二导线沿着第一方向延伸，第二导线在第二方向上的宽度大于导电插塞在第二方向上的宽度，第二导线侧壁沿第二方向到导电插塞侧壁的最小距离为预设距离，第二方向与第一方向垂直；分别位于第二导线两侧的第三导线和第四导线，第二导线、第三导线和第四导线沿第二方向排布；能够对金属线的偏移进行测量。
主权项：1.一种测试单元，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的第一导线，所述第一导线沿着第一方向延伸；位于所述第一导线表面的若干导电插塞，若干所述导电插塞沿着所述第一方向排布；位于所述导电插塞顶部表面的第二导线，所述第二导线沿着所述第一方向延伸，所述第二导线在第二方向上的宽度大于所述导电插塞在所述第二方向上的宽度，所述第二导线侧壁沿所述第二方向到所述导电插塞侧壁的最小距离为预设距离，所述第二方向与所述第一方向垂直；分别位于所述第二导线两侧的第三导线和第四导线，所述第二导线、第三导线和所述第四导线沿所述第二方向排布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试单元及形成方法、测试结构及形成方法、测试方法
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