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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265296A
主分类号：H10B41/30
分类号：H10B41/30;H01L23/528;H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括衬底；栅极叠层结构，位于所述衬底上；源区，位于所述栅极叠层结构一侧的衬底内；第一介电层，覆盖所述衬底和所述栅极叠层结构；源区插塞，贯穿所述源区顶部的第一介电层且与所述源区相接触；第二介电层，位于所述第一介电层上且覆盖所述源区插塞；源区互连结构，位于所述源区插塞顶部的部分厚度的第二介电层中并与所述源区插塞相接触，所述源区互连结构与所述源区插塞构成源区导电连接结构。本发明技术方案能够提高所形成的半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底；栅极叠层结构，位于所述衬底上；源区，位于所述栅极叠层结构一侧的衬底内；第一介电层，覆盖所述衬底和所述栅极叠层结构；源区插塞，贯穿所述源区顶部的第一介电层且与所述源区相接触；第二介电层，位于所述第一介电层上且覆盖所述源区插塞；源区互连结构，位于所述源区插塞顶部的部分厚度的第二介电层中并与所述源区插塞相接触，所述源区互连结构与所述源区插塞构成源区导电连接结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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