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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2020-07-10
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113921387B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/49
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.01.28#实质审查的生效;2022.01.11#公开
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体器件。采用本发明制备方法形成的栅极结构，其侧壁平整，且没有变形，大大提高了半导体器件的可靠性，进而提高了最终器件的良率和性能。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底上依次形成第一导电层、第二导电层及钝化层；图形化所述钝化层及第二导电层，形成初级栅极图案，所述第一导电层未被所述初级栅极图案遮挡的区域暴露；对所述初级栅极图案进行等离子体处理，以在所述第二导电层的侧壁形成第一保护层；在所述初级栅极图案侧壁及第一保护层侧面形成介质层；去除暴露的第一导电层，保留被所述初级栅极图案覆盖的第一导电层；在所述第一导电层暴露的侧壁形成第二保护层，所述第二保护层及所述介质层作为栅极结构的隔离层，所述第二保护层与所述介质层的外侧面平齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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