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申请/专利权人：安世有限公司
申请日：2023-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263315A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
优先权：["20221228 EP 22216888.2"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种半导体功率器件，包括第一导电类型的漂移区；第二导电类型的体区，其设置在漂移区上方，其中，第二导电类型与第一导电类型相反；至少两个栅极沟槽区，其与体区和漂移区接触，其中，两个横向相邻的栅极沟槽区通过台面区间隔开；第一导电类型的接触区，其位于台面区中并且设置在体区上方，其中，接触区具有与漂移区的掺杂浓度相比更高的掺杂浓度，并且其中，接触区与两个相邻的栅极沟槽区接触，使得在使用中，沿着每个栅极沟槽区并且在体区内形成沟道；源极接触件，其设置在接触区上方；以及辅助栅极区，其形成在台面区内。
主权项：1.一种半导体功率器件，包括：第一导电类型的漂移区；第二导电类型的体区，其设置在所述漂移区上方，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；至少两个栅极沟槽区，其与所述体区和所述漂移区接触，其中，两个横向相邻的栅极沟槽区通过台面区间隔开；第一导电类型的接触区，其位于所述台面区中并且设置在所述体区上方，其中，所述接触区具有与所述漂移区的掺杂浓度相比更高的掺杂浓度，并且其中，所述接触区与所述两个相邻的栅极沟槽区接触，使得在使用中，沿着每个栅极沟槽区并且在所述体区内形成沟道；源极接触件，其设置在所述接触区上方；以及辅助栅极区，其形成在所述台面区内并且包括至少一个辅助沟槽栅极；其中，所述至少两个栅极沟槽区在第一维度上横向地间隔开，其中，电流在实质上横向于所述第一维度的第二维度上在所述器件中流动，并且其中，所述栅极沟槽区在所述器件的第三维度上延伸，以及其中，所述源极接触件在所述第三维度上与所述辅助栅极区间隔开。
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