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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263323A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括外延层、P型离子注入层、N型离子注入层、栅极结构和源极结构，在外延层中形成P型离子注入层，该P型离子注入层局部刻蚀形成有沟槽，且沟槽的侧壁区域形成了帽层结构，然后在P型离子注入层中形成N型离子注入层，且N型离子注入层被配置为埋设在沟槽内，并延伸至该帽层结构。相较于现有技术，本发明将第一沟道配置为纵向导电通道，能够运用纵向沟道迁移率较高的特性，在晶胞大小固定的情况下能够增加导通时的电流密度，从而达到性能提升的目的。同时无需采用沟槽式埋栅结构，工艺简单，可以兼容现有的平面栅工艺。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：外延层110；P型离子注入层130，所述P型离子注入层130设置在所述外延层110中，并局部刻蚀形成有沟槽131，所述沟槽131的侧壁区域形成帽层结构133；N型离子注入层150，所述N型离子注入层150设置在所述P型离子注入层130中，且所述N型离子注入层150被配置为埋设在所述沟槽131内，并延伸至所述帽层结构133；栅极结构170，所述栅极结构170绝缘覆盖在所述外延层110、所述N型离子注入层150和所述帽层结构133上；源极结构190，所述源极结构190设置在所述N型离子注入层150上；其中，在导通状态下，所述帽层结构133与所述栅极结构170的接触界面处形成有第一沟道135和第二沟道137，所述第一沟道135位于所述帽层结构133的侧壁界面处，所述第二沟道137位于所述帽层结构133的顶壁界面处，所述第一沟道135被配置为纵向导电通道，所述第二沟道137被配置为横向导电通道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 半导体器件和半导体器件的制备方法
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