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申请/专利权人：TCL科技集团股份有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265332A
主分类号：H10K50/13
分类号：H10K50/13;H10K50/15;H10K50/16;H10K50/18;H10K101/40
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开一种发光器件以及包含发光器件的电子设备，发光器件中空穴生成层包括在阳极指向阴极的方向上依次排列的空穴生成子层P1至空穴生成子层Px，x为大于等于2的正整数，空穴生成子层Px的HOMO能级的绝对值大于空穴生成子层P1的HOMO能级的绝对值，从而降低发光器件中空穴的跃迁势垒；和或，发光器件中电子生成层包括在阴极指向阳极的方向上依次排列的电子生成子层N1至电子生成子层Ny，y为大于等于2的正整数，电子生成子层Ny的LUMO能级的绝对值小于电子生成子层N1的LUMO能级的绝对值，从而降低发光器件中电子的跃迁势垒，可降低发光器件的驱动电压，提升了发光器件的光电性能。
主权项：1.一种发光器件，其特征在于，包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；N个发光单元层，间隔设置于所述阳极与所述阴极之间；以及N-1个电荷产生层，间隔设置于所述阳极与所述阴极之间，且各所述电荷产生层分别设置于相邻两个所述发光单元层之间，各所述电荷产生层包括空穴生成层和电子生成层，所述空穴生成层较所述电子生成层更靠近阴极；其中，N为大于等于2的正整数；所述空穴生成层包括空穴生成子层P1至空穴生成子层Px，x为大于等于2的正整数，在所述阳极指向所述阴极的方向上，空穴生成子层P1至空穴生成子层Px依次排列，所述空穴生成子层Px的HOMO能级的绝对值大于所述空穴生成子层P1的HOMO能级的绝对值；和或所述电子生成层包括电子生成子层N1至电子生成子层Ny，y为大于等于2的正整数，在所述阴极指向所述阳极的方向上，电子生成子层N1至电子生成子层Ny依次排列，所述电子生成子层Ny的LUMO能级的绝对值小于所述电子生成子层N1的LUMO能级的绝对值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TCL科技集团股份有限公司 发光器件以及包含发光器件的电子设备
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