龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265442A
主分类号：H10N97/00
分类号：H10N97/00;H01L23/64
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；第一极板，位于所述衬底上；介电层，位于所述衬底和所述第一极板上；第二极板，和所述第一极板的位置对应，且包括依次堆叠于所述介电层上的第一导电层和第二导电层，其中所述第一导电层的底面向所述第一极板的方向凹陷。所述半导体结构能够提高高压电容结构单位厚度的抗击穿能力。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一极板，位于所述衬底上；介电层，位于所述衬底和所述第一极板上；第二极板，和所述第一极板的位置对应，且包括依次堆叠于所述介电层上的第一导电层和第二导电层，其中所述第一导电层的底面向所述第一极板的方向凹陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号