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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263188A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L21/3205;H01L21/321
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，包括若干有源区；在有源区上形成栅极结构以及源漏区；在源漏区表面以及栅极结构顶部表面形成硅外延层；在硅外延层上沉积形成金属层；进行退火工艺处理，使金属层和硅外延层反应，形成金属硅化物层；在衬底上形成介质层，介质层覆盖栅极结构、源漏区；刻蚀介质层，形成接触孔，接触孔露出栅极结构顶部及源漏区表面的金属硅化物层。通过在源漏区表面以及栅极结构顶部表面形成硅外延层，使得通过退火工艺处理与金属层反应的硅的厚度增加，进而增加后续形成的金属硅化物层的厚度，使得刻蚀形成接触孔时避免过刻蚀衬底和栅极顶部，进而避免了导致的阻值异常偏大和结漏电等问题。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括若干有源区；在所述衬底上依次形成栅氧层和栅极层；刻蚀所述栅氧层和所述栅极层至露出所述衬底，形成栅极结构；向所述栅极结构两侧的所述衬底内注入导电离子，形成源漏区；在所述源漏区表面以及所述栅极结构顶部表面形成硅外延层；在所述硅外延层上沉积形成金属层；进行退火工艺处理，使所述金属层和所述硅外延层反应，形成金属硅化物层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构、源漏区；刻蚀所述介质层，形成接触孔，所述接触孔露出所述栅极结构顶部及源漏区表面的所述金属硅化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 半导体结构及其形成方法
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