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申请/专利权人：苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要：本发明涉及一种叠层ESDPowerClamp的偏置电压产生电路。包括：第一FET晶体管、第二FET晶体管、第三FET晶体管、第四FET晶体管，第一电阻、第二电阻，直流电源VDD，和输出电压Vx；其中直流电源VDD连接第一FET晶体管，第一FET晶体管与第二FET晶体管之间连接第一电阻，第二FET晶体管与第三FET晶体管之间输出电压Vx，第三FET晶体管与第四FET晶体管之间连接第二电阻，所述第四FET晶体管接地。本发明的偏置电路既产生不随温度和工艺角变化而出现波动的稳定的偏置电压，又不增加芯片面积和功耗。输出电压Vx从第二FET晶体管和第三FET晶体管的源极引出，使得输出的电压不会随负载波动而发生变化，也即能够抑制负载电路的干扰。
主权项：1.一种叠层ESDPowerClamp的偏置电压产生电路，其特征在于，包括：第一FET晶体管、第二FET晶体管、第三FET晶体管、第四FET晶体管，第一、第二电阻，直流电源VDD，和输出电压Vx；其中直流电源VDD连接第一FET晶体管，第一FET晶体管与第二FET晶体管之间连接第一电阻，第二FET晶体管与第三FET晶体管之间输出电压Vx，第三FET晶体管与第四FET晶体管之间连接第二电阻，所述第四FET晶体管接地。
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百度查询： 苏州悉芯射频微电子有限公司 一种叠层ESD Power Clamp的偏置电压产生电路
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