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申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日：2022-10-13
公开（公告）日：2022-12-09
公开（公告）号：CN115454352A
主分类号：G06F3/06
分类号：G06F3/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2022.12.27#实质审查的生效;2022.12.09#公开
摘要：本发明公开一种提高SSDQOS的IO闪避方法，本方法将Nand不同特性引起的管理操作拆分为基本操作，基本操作包括读操作、写操作、擦除操作、虚读操作，将基本操作的读操作、写操作、擦除操作、虚读操作以及主机的读、写操作分别建立不同的请求队列，基本操作与主机的读写操作共同向调度单元提交请求，经过调度单元处理后输出到执行队列；从执行队列取出待执行队列请求并执行，执行完成对执行队列活跃IO数量进行减一操作。本发明使NAND管理命令与主机IO进行时间空间上的错行，达到减少IOlatency，提高SSDQOS的目的。
主权项：1.一种提高SSDQOS的IO闪避方法，其特征在于：包括以下步骤：S01、将Nand不同特性引起的管理操作拆分为基本操作，基本操作包括读操作、写操作、擦除操作、虚读操作，将基本操作的读操作、写操作、擦除操作、虚读操作以及主机的读、写操作分别建立不同的请求队列，基本操作与主机的读写操作共同向调度单元提交请求，经过调度单元处理后输出到执行队列；S02、从执行队列取出待执行队列请求并执行，执行完成对执行队列活跃IO数量进行减一操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华芯半导体有限公司 一种提高SSD QOS的IO闪避方法
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