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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本发明提供一种基于P型磊晶降低导通电阻的沟槽MOSFET及制备方法，属于半导体技术领域，该方法包括：在漂移区上方采用磊晶工艺形成体区；在体区上层离子注入形成源极区；在所述体区和所述源极区蚀刻通孔，在所述漂移区上层蚀刻沟槽，所述通孔与所述沟槽连接；在衬底下方沉积漏极，在所述源极区上方沉积源极，在所述沟槽中沉积栅极。本发明使用磊晶工艺取代了现有技术中采用离子注入与扩散的方法形成体区，由于磊晶工艺能够精准地控制体区的深度，从而有效地对沟道长度微缩，能够降低沟道电阻，还能够使沟道的掺杂离子均匀分布，有效降低沟槽MOSFET的导通阻抗，提升了沟槽MOSFET的电气性能。
主权项：1.一种基于P型磊晶降低导通电阻的沟槽MOSFET制备方法，其特征在于，包括：在漂移区上方采用磊晶工艺形成体区；在所述体区上层离子注入形成源极区；在所述体区和所述源极区蚀刻通孔，在所述漂移区上层蚀刻沟槽，所述通孔与所述沟槽连接；在衬底下方沉积漏极，在所述源极区上方沉积源极，在所述沟槽中沉积栅极。
全文数据：
权利要求：
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