申请/专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司

申请日：2018-10-22

公开（公告）日：2023-11-14

公开（公告）号：CN111073640B

主分类号：C09K11/66

分类号：C09K11/66;C09K11/06;C09K11/02;G02F1/13357

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.14#授权;2020.05.22#实质审查的生效;2020.04.28#公开

摘要：本申请公开了一种调控钙钛矿量子点‑聚合物膜的发射峰峰波长的方法。通过改变所述钙钛矿量子点‑聚合物膜的厚度来调控所述钙钛矿量子点‑聚合物膜的发射峰峰波长；所述钙钛矿量子点‑聚合物膜包括钙钛矿量子点和聚合物基质，所述钙钛矿量子点分散在所述聚合物基质中；所述钙钛矿量子点‑聚合物膜的厚度记为L；所述钙钛矿量子点‑聚合物膜在蓝光激发下的发射峰峰波长记为λ。由于通过改变钙钛矿量子点‑聚合物膜的厚度L的值即可以改变钙钛矿量子点‑聚合物膜的发射峰峰波长λ，从而可以使得钙钛矿量子点‑聚合物膜特别方便的应用于液晶显示装置的背光单元BLU、室内或室外照明、舞台照明或装饰性照明。

主权项：1.一种调控钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长的方法，其特征在于，通过改变所述钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度来调控所述钙钛矿量子点-聚合物膜的发射峰峰波长；所述钙钛矿量子点-聚合物膜包括钙钛矿量子点和聚合物基质，所述钙钛矿量子点分散在所述聚合物基质中；所述钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度记为L，L大于等于10微米且小于等于400微米；所述钙钛矿量子点-聚合物膜在蓝光激发下的发射峰峰波长记为λ；将[Cs][Pb][Br]3量子点的甲苯溶液与甲基丙烯酸酯树脂混合，制备成钙钛矿量子点-聚合物膜，当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为10微米时，其发射峰峰波长λ为518nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为20微米时，其发射峰峰波长λ为519nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为30微米时，其发射峰峰波长λ为521nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为50微米时，其发射峰峰波长λ为523nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为60微米时，其发射峰峰波长λ为525nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为80微米时，其发射峰峰波长λ为526nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为100微米时，其发射峰峰波长λ为532nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为200微米时，其发射峰峰波长λ为533nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为400微米时，其发射峰峰波长λ为534nm；其中，[Cs][Pb][Br]3量子点制备过程中的温度为120℃-150℃；将[CH3NH3][Pb][Br]3量子点的甲苯溶液与甲基丙烯酸酯树脂混合，制备成钙钛矿量子点-聚合物膜，当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为10微米时，其发射峰峰波长λ为525nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为20微米时，其发射峰峰波长λ为527nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为30微米时，其发射峰峰波长λ为528nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为50微米时，其发射峰峰波长λ为529nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为60微米时，其发射峰峰波长λ为531nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为80微米时，其发射峰峰波长λ为533nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为100微米时，其发射峰峰波长λ为536nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为200微米时，其发射峰峰波长λ为538nm；当钙钛矿量子点-聚合物膜的厚度L为400微米时，其发射峰峰波长λ为540nm；其中，[CH3NH3][Pb][Br]3量子点制备过程中的温度为80℃。

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权利要求：

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