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申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日：2022-11-30
公开（公告）日：2023-12-08
公开（公告）号：CN115849948B
主分类号：C04B38/06
分类号：C04B38/06;C04B35/593;C04B35/622;C04B41/89;H05K9/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2023.12.08#授权;2023.04.14#实质审查的生效;2023.03.28#公开
摘要：本发明涉及一种Fe3O4SiCnwSi3N4复合吸波陶瓷及其制备方法。所述Fe3O4SiCnwSi3N4复相陶瓷吸波材料包括：多孔氮化硅基体，以及原位生长在多孔氮化硅基体中孔结构的SiC纳米线和Fe3O4纳米颗粒；所述SiC纳米线占多孔氮化硅基体质量的5～25wt％；所述Fe3O4纳米颗粒占多孔氮化硅基体质量的2～20wt％。
主权项：1.一种Fe3O4SiCnwSi3N4复相陶瓷吸波材料，其特征在于，包括：多孔氮化硅基体，以及原位生长在多孔氮化硅基体中孔结构的SiC纳米线和Fe3O4纳米颗粒；所述多孔氮化硅基体的孔隙率为45～70％，孔径为5～50μm；所述SiC纳米线的直径为50～300nm，长度为5～40μm；所述SiC纳米线占多孔氮化硅基体质量的5～25wt％；所述Fe3O4纳米颗粒的粒径为50～400nm；所述Fe3O4纳米颗粒占多孔氮化硅基体质量的2～20wt％；所述的Fe3O4SiCnwSi3N4复相陶瓷吸波材料的制备方法包括：1将多孔氮化硅基体真空浸渍于聚碳硅烷PCS溶液中，再经交联固化、裂解和热处理，得到SiCnwSi3N4复相陶瓷；2将SiCnwSi3N4复相陶瓷真空浸渍于铁源前驱体溶液中，取出后再浸泡在氨水中进行超声反应；3重复步骤2至少1次，得到所述Fe3O4SiCnwSi3N4复相陶瓷吸波材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种Fe3O4/SiCnw/Si3N4复合吸波陶瓷及其制备方法
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