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申请/专利权人:天津工业大学
摘要:本发明公开了一种ASM‑GaNHEMT的spice模型参数提取方法,涉及半导体领域,包括以下步骤:步骤一、确定器件工艺参数;步骤二、提取在线性区域时电流_电压关系曲线相关参数;步骤三、提取300K时电流_电压关系曲线相关参数;步骤四、提取与温度相关的参数。本发明提高了ASM‑GaNHEMT的spice模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。
主权项:1.一种ASM-GaNHEMT的spice模型参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、确定器件工艺参数;步骤二、提取在线性区域时电流_电压关系曲线相关参数;步骤三、提取300K时电流_电压关系曲线相关参数;步骤四、提取与温度相关的参数。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津工业大学 ASM-GaN HEMT的spice模型参数提取方法
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