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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明提供一种KDP晶体表面微纳缺陷DPN水溶修复形貌演变模拟方法，涉及微纳制造技术领域，为解决现有技术中缺乏定量方法对KDP晶体表面微纳缺陷DPN水溶修复形貌的演变过程进行模拟的问题。包括：步骤一、构建缺陷局部生长数学模型；步骤二、将缺陷深度信息进行量纲转换，对模型进行降维处理；步骤三、将缺陷局部生长数学模型转换为标准偏微分方程形式；步骤四、获取缺陷局部生长数学模型的初始值，并设定模型边界条件；步骤五、将待定系数进行参数化扫描，确定待定系数数值；步骤六、对KDP晶体表面微纳缺陷DPN水溶修复形貌演变过程进行模拟。本发明通过量纲转换实现了模型的降维处理，最终实现KDP晶体表面微纳缺陷DPN水溶修复形貌演变过程的模拟。
主权项：1.一种KDP晶体表面微纳缺陷DPN水溶修复形貌演变模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、建立坐标系，构建缺陷局部生长数学模型；步骤二、将缺陷深度信息进行量纲转换，对模型进行降维处理；步骤三、将缺陷局部生长数学模型转换为标准偏微分方程形式；步骤四、获取缺陷局部生长数学模型的初始值，并设定模型边界条件；步骤五、将待定系数进行参数化扫描，对仿真结果和试验数据进行拟合，根据仿真和试验数据间的误差确定生长数学模型的待定系数；步骤六、将确定的方程系数代入缺陷局部生长数学模型，对KDP晶体表面微纳缺陷DPN水溶修复形貌演变过程进行模拟。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种KDP晶体表面微纳缺陷DPN水溶修复形貌演变模拟方法
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