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申请/专利权人：昭荣化学工业株式会社
摘要：本发明涉及纳米技术领域。更具体地，本发明涉及高发光的纳米结构，特别是包括铟掺杂的ZnSe核及ZnS和或ZnSe壳层的高发光纳米结构。本发明还涉及产生这种纳米结构的方法。
主权项：1.一种纳米结构，其包括被至少一个壳包围的核，其中所述核由ZnSe和铟掺杂剂组成，其中所述至少一个壳包含ZnS，并且其中所述纳米结构的发射波长在435nm和500nm之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昭荣化学工业株式会社 使用In3+盐作为掺杂剂的ZnSe量子点的波长调谐
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