申请/专利权人:美光科技公司
申请日:2018-10-29
公开(公告)日:2024-04-23
公开(公告)号:CN113168377B
主分类号:G06F12/08
分类号:G06F12/08
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.23#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开
摘要:在一些实例中,公开以对SLC高速缓存配置进行智能调整以平衡存储器单元寿命与性能为特征的存储器装置。所述SLC高速缓存的大小可在所述存储器装置的使用期间基于所述存储器装置的写入放大率WA度量进行调整。在一些实例中,所述SLC高速缓存的所述大小可在所述存储器装置的使用期间基于所述存储器装置的写入放大率WA度量及存储器装置逻辑饱和度度量写入于所述装置中的有效用户数据占总用户大小的百分比进行调整。
主权项:1.一种方法,其包括:在存储器装置的操作期间,追踪测量物理写入到所述存储器装置的存储器单元的数据量与由主机请求写入到所述存储器装置的数据量之间的差的写入放大率度量;及基于使用公式的单电平单元SLC缓存大小计算将所述存储器装置的存储器单元集区的一部分重新分配于SLC高速缓存与多电平单元MLC存储装置之间,所述公式包括所述写入放大率度量的值和所述存储器装置的逻辑饱和度水平,所述重新分配包含将至少一个电气状态写入到寄存器。
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