申请/专利权人：TCL科技集团股份有限公司

申请日：2020-06-15

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113861960B

主分类号：C09K11/02

分类号：C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;C09D11/02;C09D11/50;H10K50/115;H10K71/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2021.12.31#公开

摘要：本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点复合材料，其特征在于，包括量子点，以及结合在所述量子点表面的偶氮苯类配体；其中，所述偶氮苯类配体包括如下式1、式2所示结构中的至少一种，其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自给电子基团和氢原子中的一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6中，至少有一个为给电子基团。

主权项：1.一种量子点复合材料，其特征在于，包括量子点，以及结合在所述量子点表面的偶氮苯类配体；其中，所述偶氮苯类配体为如下式1、式2所示结构中的至少一种， 其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自给电子基团和氢原子中的一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6中，至少有一个为给电子基团，所述给电子基团的碳原子小于或等于8，所述给电子基团含巯基、羧基、胺基、膦基中的一种；所述偶氮苯类配体的质量为所述量子点的质量的0.5%~5%；所述量子点的材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、CuInSeS、AgS、PbS、PbSe、ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X、CdSeZnS、ZnXCd1-XSZnSe、CuXIn1-XSZnS、ZnXCd1-XSeZnS、ZnXCd1-XTeZnS、PbSeXS1-XZnS中的至少一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TCL科技集团股份有限公司 量子点复合材料、量子点发光二极管及其及其制备方法

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