申请/专利权人：中国人民解放军63660部队

申请日：2021-10-19

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113889765B

主分类号：H01Q9/04

分类号：H01Q9/04;H01Q1/00;H01Q5/25;H01Q5/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2022.01.04#公开

摘要：本发明属于电磁场与微波技术领域，具体涉及一种拓展共面Vivaldi天线工作频带下限的方法。通过在传统共面Vivaldi天线金属辐射贴片上开与辐射贴片形状相似的封闭槽，构建了曲线辐射臂，等效构建了两个指数渐变的金属辐射贴片，改善了电流分布；并且第一曲线辐射臂12与第一直线辐射臂13、第二直线辐射臂14形成了上侧环路辐射结构，第二曲线辐射臂22、第三直线辐射臂23、第四直线辐射臂24形成了下侧环路辐射结构，有效延长了天线表面电流传播路径的有效长度，增强了天线的低频辐射能力；与此同时，通过在第一直线辐射臂13、第三直线辐射臂23上开平行槽线并进行电阻加载，有利于阻抗匹配减小天线反射，最大程度上吸收了部分低频分量，从而进一步显著拓展天线工作频带下限。

主权项：1.一种拓展共面Vivaldi天线工作频带下限的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、构建环路辐射结构在共面Vivaldi天线上侧金属辐射贴片1和下侧金属辐射贴片2上开封闭槽，形成上侧环路辐射结构与下侧环路辐射结构；上侧封闭槽11与下侧封闭槽21的形状分别与上侧金属辐射贴片1和下侧金属辐射贴片2形状相似；上侧封闭槽11与下侧封闭槽21关于天线介质基板3的水平中心轴线上下对称；所述上侧环路辐射结构由三部分组成，分别为指数渐变的第一曲线辐射臂12，第一直线辐射臂13，第二直线辐射臂14，三者组成一个电流环结构；其中第一直线辐射臂13是与天线辐射方向平行并靠近介质基板上边缘的直线辐射臂，第二直线辐射臂14上侧环路辐射结构中与天线辐射方向垂直的直线辐射臂；所述下侧环路辐射结构由三部分组成，分别为指数渐变的第二曲线辐射臂22，第三直线辐射臂23，第四直线辐射臂24，三者组成一个电流环结构；其中第三直线辐射臂23是与天线辐射方向平行并靠近介质基板上边缘的直线辐射臂，第四直线辐射臂24上侧环路辐射结构中与天线辐射方向垂直的直线辐射臂；步骤2、构建平行槽线在上侧环路辐射结构与下侧环路辐射结构中与天线辐射方向平行的第一直线辐射臂13和第三直线辐射臂23上，分别构建上侧平行槽线15和下侧平行槽线25，对上下两侧的环路辐射结构进行截断，形成半封闭不连续的上侧环路辐射结构与下侧环路辐射结构，所构建的上下两侧的平行槽线所处位置关于共面Vivaldi天线介质基板3水平中心轴线上下对称；步骤3、进行电阻加载形成闭合环路辐射结构在所构建的上侧平行槽线15、下侧平行槽线25上进行电阻加载，上侧平行槽线15上加载上侧电阻7，下侧平行槽线25上加载下侧电阻8，将上下加载电阻的两端连接至上下侧平行槽线的两侧，使得步骤2中形成的半封闭不连续的环路辐射结构通过电阻连接的方式进行闭合，完成电流的导通与吸收。

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