申请/专利权人:成都方舟微电子有限公司
申请日:2024-03-20
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117930930A
主分类号:G05F1/56
分类号:G05F1/56;H03K17/687
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本发明公开的LDO应用电路,包括与LDO部件搭配的N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管,N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管串联于LDO部件的输入回路,N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极通过稳压单元连接LDO部件的输出端。本发明既可以解决传统LDO电路在大电流、低温环境下因耗尽型MOSFET或JFET的关断电压VGSOFF、饱和电流IDSS参数偏低而不能正常工作的问题,又能够避免LDO与耗尽型MSOFET或JFET参数不匹配的问题。
主权项:1.LDO应用电路,包括与LDO部件搭配的N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管,所述N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管串联于LDO部件的输入回路,其特征在于:所述N沟道耗尽型MOSFET管或N沟道JFET管的栅极通过稳压单元连接LDO部件的输出端。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 成都方舟微电子有限公司 LDO应用电路
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