申请/专利权人：胜高股份有限公司

申请日：2022-09-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117940619A

主分类号：C30B29/06

分类号：C30B29/06;C30B15/26;G01F23/292

优先权：["20210906 JP 2021-144871"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供一种无论炉内结构如何都能够稳定地测量液面水平的单晶的制造方法及装置。本发明为基于从坩埚内的熔液中提拉单晶的切克劳斯基法的单晶的制造方法，其中，设置覆盖除单晶的提拉路径以外的坩埚的上方的热遮蔽体；利用第1摄像机拍摄热遮蔽体的实像17R及映射在熔液面2a的热遮蔽体的镜像17M；设定检测线L1，所述检测线L1在相对于的提拉轴倾斜的倾斜方向上延伸且与热遮蔽体的实像边缘ER及镜像边缘EM这两者相交；根据从检测线L1与实像边缘ER的第1交点P1至检测线L1与镜像边缘EM的第2交点P2的距离即检测线L1上的实像‑镜像间距离D求出热遮蔽体的下端与熔液面2a之间的距离即间隙值。

主权项：1.一种单晶的制造方法，其为基于从坩埚内的熔液中提拉单晶的切克劳斯基法的单晶的制造方法，其特征在于，设置覆盖除所述单晶的提拉路径以外的所述坩埚的上方的热遮蔽体；利用第1摄像机拍摄所述热遮蔽体的实像及映射在所述熔液的液面的所述热遮蔽体的镜像；设定检测线，所述检测线在相对于所述单晶的提拉轴既不平行也不垂直的倾斜方向上延伸且与所述热遮蔽体的实像边缘及镜像边缘这两者相交；根据从所述检测线与所述实像边缘的第1交点至所述检测线与所述镜像边缘的第2交点的距离即所述检测线上的实像-镜像间距离求出所述热遮蔽体的下端与熔液面之间的距离即间隙值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 胜高股份有限公司 单晶的制造方法及单晶制造装置

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