申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926399A

主分类号：C30B15/34

分类号：C30B15/34;C30B27/02;C30B29/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法，步骤一，装籽晶，将模具置于坩埚中，装入氧化镓原料，将坩埚放置于保温筒中心，关炉，抽真空；步骤二，充保护气体；步骤三，升温；步骤四，采用导模法进行氧化镓晶体生长，在生长过程中晶体出现多晶、孪晶、平肩现象，需要回熔；步骤五，停止提拉晶体；步骤六，升温；步骤七，向上提拉晶体，对晶体底面进行测温；步骤八，在步骤二生长气压基础上，向炉腔内再充入气体；步骤九再升温；步骤十，晶体回熔；步骤十一，放气降温；步骤十二，重新步骤四采用导模法氧化镓晶体生长；步骤十三，降温，降温至室温，即得到完整的氧化镓晶体。本方法可以实现晶体回熔又不损伤模具和籽晶，大幅提升氧化镓晶体生长成品率。

主权项：1.一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法，其特征在于，步骤如下：步骤一，装籽晶，将模具置于坩埚中心，装入氧化镓原料，盖上坩埚盖，将坩埚放置于保温筒中心位置，然后关炉，抽真空至炉腔内压力低于1Pa；步骤二，充保护气，通入气体，使炉腔内压力在0.8~1.2atm；步骤三，升温，以400℃h~800℃h的速率，升温至模具上端面温度为1822℃~1840℃，保温0.3~2h，对模具上端面进行测温；步骤四，采用导模法进行氧化镓晶体生长，如果在放肩或者等径过程中晶体出现多晶、孪晶、平肩现象，需要回熔；步骤五，停止提拉晶体，记录炉腔内生长压力；步骤六，升温，以40~60℃h的速率升温至模具上端面温度为1825℃~1845℃，保温0.2~0.5h；步骤七，向上提拉晶体，以3~15mmh的速率向上提拉晶体，使晶体底面脱离模具上端面0.2~5mm，对晶体底面进行测温；步骤八，充气，在步骤五生长压力基础上，向炉腔内再充入气体，充气压力为0.1~0.4atm，稳定0.3~1h；步骤九，再升温，以20~40℃h的速率升温，至晶体底面温度高于氧化镓熔点3~10℃，保温0.3~1h；步骤十，晶体回熔，晶体底面开始熔化后，下降晶体，保持晶体底面一直高于模具上端面0.2~5mm，直至晶体全部回熔完毕；步骤十一，放气降温，以0.4~0.8atmh的速率放气至初始生长气压，同时以25~50℃h的速率降温，至模具上端面温度达到1822℃~1840℃，保温0.2~1.5h；步骤十二，重新步骤四采用导模法氧化镓晶体生长；步骤十三，降温，以30~300℃的速率降至室温，即得到完整的氧化镓晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法

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