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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2023-08-21
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118016667A
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L21/8238;B82Y10/00;B82Y40/00
优先权：["20221108 KR 10-2022-0147764"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：一种半导体装置包括NMOS晶体管结构，其形成在衬底的NMOS区之上；以及PMOS晶体管结构，其形成在衬底的PMOS区之上。NMOS晶体管结构包括NMOS源极漏极区以及NMOS沟道图案和NMOS栅结构，NMOS沟道图案和NMOS栅结构反复交替地堆叠在NMOS源极漏极区之间。PMOS晶体管结构包括PMOS源极漏极区以及PMOS沟道图案和PMOS栅结构，PMOS沟道图案和PMOS栅结构反复交替地堆叠在PMOS源极漏极区之间。
主权项：1.一种半导体装置，包括：NMOS晶体管结构，其形成在衬底的NMOS区之上；以及PMOS晶体管结构，其形成在所述衬底的PMOS区之上，其中，所述NMOS晶体管结构包括：NMOS源极漏极区，其形成在所述衬底之上；以及NMOS沟道图案和NMOS栅结构，其反复交替地堆叠在水平方向上的所述NMOS源极漏极区之间的衬底之上，其中，所述PMOS晶体管结构包括：PMOS源极漏极区，其形成在所述衬底之上；以及PMOS沟道图案和PMOS栅结构，其反复交替地堆叠在所述水平方向上的所述PMOS源极漏极区之间的衬底之上，其中：所述NMOS沟道图案的每个都包括单一硅层，以及所述PMOS沟道图案的每个都包括硅层和硅锗层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体装置
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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