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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种具有位错结构的半导体NMOS器件形成方法，提供衬底，衬底上形成有栅极结构或伪栅极结构；在栅极结构或伪栅极结构的侧壁形成第一侧墙，之后利用离子注入形成轻掺杂漏；在第一侧墙上形成第二侧墙，之后利用离子注入形成源、漏区；向衬底上的NMOS区域进行第一预非晶化离子注入，以形成第一非晶化区域；以不同的离子注入角度，向衬底上的NMOS区域进行至少一次的第二预非晶化离子注入，以形成第二非晶化区域，使得111晶面的无定形层宽度增加；利用退火使得第一、二非晶化区域重结晶并形成位错。本发明能够形成具有更加显著的位错结构的半导体器件，提高载流子迁移率并提升器件性能。
主权项：1.一种具有位错结构的半导体NMOS器件形成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构或伪栅极结构；步骤二、在所述栅极结构或伪栅极结构的侧壁形成第一侧墙，之后利用离子注入形成轻掺杂漏；在所述第一侧墙上形成第二侧墙，之后利用离子注入形成源、漏区；步骤三、向所述衬底上的NMOS区域进行第一预非晶化离子注入，以形成第一非晶化区域；步骤四、以不同的离子注入角度，向所述衬底上的NMOS区域进行至少一次的第二预非晶化离子注入，以形成第二非晶化区域，使得111晶面的无定形层宽度增加；步骤五、利用退火使得所述第一、二非晶化区域重结晶并形成位错。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 具有位错结构的半导体NMOS器件形成方法
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