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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种集成自偏置pMOS和nMOS的RC‑LIGBT器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括集电极区域自偏置pMOS与自偏置nMOS。该器件在正向导通时，利用自偏置pMOS增强空穴注入效率，利用延伸FP作为nMOS衬底并抑制电子注入，从而消除snapback效应并降低正向导通电压。FP区域的存在会极大影响器件的耐压特性，通过在集电极区域增加NC区优化器件的体内电场分布，有效提升器件的耐压特性。该器件在反向导通时利用自偏置nMOS进行反向导通。本发明完全消除了snapback现象，具有反向导通能力，优化了器件的正向导通特性，改善了器件的关断损耗与导通电压之间的折中关系。
主权项：1.一种集成自偏置pMOS和nMOS的RC-LIGBT器件，其特征在于：其包括：衬底12；介质隔离层11，位于所述衬底12表面；N-漂移区4，位于所述介质隔离层11表面；NC区5，位于所述介质隔离层11表面，且与所述N-漂移区4相邻；P-well区9，位于所述N-漂移区4左上端表面；发射极P+区1，位于所述P-well区9表面；发射极N+区2，位于所述P-well区9表面，且与所述发射极P+区1相邻；平面栅3，位于器件顶端，且分别与所述发射极N+区2、P-well区9和N-漂移区4接触；FP区6，位于所述NC区5中；N-buffer区10，位于所述NC区5中，且与所述FP6相邻；P-collector区8，位于所述N-buffer10和FP区6表面；N-collector区14，位于所述FP区6表面；pMOS自偏置栅7，位于器件顶端，且分别与所述FP区6、N-buffer区10和P-collector区8接触；以及nMOS自偏置栅13，位于器件顶端，且分别与所述NC区5、FP区6和N-collector区14接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种集成自偏置pMOS和nMOS的RC-LIGBT器件
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