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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明提出一种基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路，利用核辐射环境NMOS晶体管漏电流增大和PMOS晶体管受辐射损伤小的特性，构建差分放大电路对NMOS的辐射漏电流进行处理，输出的电压信号可以有效表征辐射环境下电离辐射的总剂量水平。将电压信号通过由FPGA主控芯片控制的AD采样芯片进行采样并由主控输出辐照总剂量信息，同时电压信号通过本发明设计的PMOS补偿电路直接对电源电流和运放输入进行补偿。与现有技术相比，具有结构简单、可靠性高、功耗低和成本低等优势，且不需要对电路进行外部的抗辐射加固。
主权项：1.一种基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路，其特征在于，所述基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路包括PMOS偏置电路、NMOS辐射感应电路、差分放大电路、AD采样电路和FPGA主控电路；所述差分放大电路包括第一运算放大器，用于放大辐射损伤导致降低的电压值；所述PMOS偏置电路包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管的漏极和栅极分别连接高电压和低电压，第二PMOS源极连接第一运算放大器的负输入端；所述NMOS辐射感应电路包括NMOS管，NMOS管源极连接第一运算放大器的正输入端，NMOS管设置在核辐射环境中，用于获取受到的辐射损伤的电压值；所述AD采样电路连接所述差分放大电路，将差分放大的电压值采样后传输到所述FPGA主控电路，计算转化后得到对应的辐射总剂量数值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路
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