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申请/专利权人：意法半导体(鲁塞)公司;意法半导体国际有限公司
摘要：本公开的实施例涉及针对基于PMOS的开关的过电压保护电路。集成电路包括过电压保护电路。过电压保护电路检测集成电路焊盘处的过电压事件。过电压保护电路生成最大电压信号，该最大电压信号是焊盘处电压、以及集成电路的供应电压中的较大项。当过电压事件存在于焊盘上时，过电压保护电路通过向PMOS晶体管的栅极供应最大电压信号，禁用被耦合到焊盘的PMOS晶体管。
主权项：1.一种用于过电压保护的方法，包括：接收集成电路的焊盘处的焊盘电压；如果所述焊盘电压高于所述集成电路的供应电压，生成最大电压信号，所述最大电压信号是所述焊盘电压；以及如果所述焊盘电压高于所述供应电压，向第一PMOS晶体管的栅极端子供应所述最大电压信号，所述第一PMOS晶体管被耦合到所述焊盘，所述第一PMOS晶体管是向所述焊盘提供数据的IO驱动器的一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 意法半导体国际有限公司 针对基于PMOS的开关的过电压保护电路
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