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申请/专利权人：株式会社电装
摘要：开关器件10的制造方法，具有以下工序：在具有漂移区域38的半导体衬底12中形成源极区域30和体区域34的工序；在具有上述漂移区域的上述半导体衬底的上述上表面形成具有开口部52的掩模50的工序；在形成了上述掩模后经由上述开口部向上述半导体衬底注入p型杂质从而在上述漂移区域内形成电场缓和区域36的工序；在形成了上述电场缓和区域后在上述开口部内形成栅极沟槽14的工序，该工序是以使在上述栅极沟槽的下侧残留上述电场缓和区域的方式形成上述栅极沟槽的工序；以及在形成了上述栅极沟槽后形成栅极绝缘膜16和栅极电极18的工序。
主权项：1.一种开关器件10的制造方法，其特征在于，上述开关器件具有：半导体衬底12，在上表面具有栅极沟槽14；栅极电极18，配置在上述栅极沟槽内，被栅极绝缘膜16从上述半导体衬底绝缘；n型的源极区域30，在上述栅极沟槽的侧面与上述栅极绝缘膜相接；p型的体区域34，在上述源极区域的下侧的上述栅极沟槽的上述侧面与上述栅极绝缘膜相接；p型的电场缓和区域36，在上述栅极沟槽的底面与上述栅极绝缘膜相接；以及n型的漂移区域38，在上述体区域的下侧的上述栅极沟槽的上述侧面与上述栅极绝缘膜相接，与上述电场缓和区域的侧面和底面相接，上述制造方法具有以下工序：在具有上述漂移区域的上述半导体衬底中形成上述源极区域和上述体区域的工序；在具有上述漂移区域的上述半导体衬底的上述上表面形成具有开口部52的掩模50的工序；在形成了上述掩模后经由上述开口部向上述半导体衬底注入p型杂质从而在上述漂移区域内形成上述电场缓和区域的工序；在形成了上述电场缓和区域后在上述开口部内将上述半导体衬底的上述上表面蚀刻从而形成上述栅极沟槽的工序，并且该工序是以使上述电场缓和区域在上述栅极沟槽的下侧残留的方式形成上述栅极沟槽的工序；以及在形成了上述栅极沟槽后形成上述栅极绝缘膜和上述栅极电极的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社电装 开关器件及其制造方法
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