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申请/专利权人：株式会社日立高新技术
摘要：为了提供成品率高的半导体制造方法，向处理室内供给将所述过渡金属络合物化的气体，从而对配置在容器内部的处理室内的半导体晶片的上表面的包含过渡金属的处理对象的膜进行蚀刻，该半导体制造方法进行如下工序，从而对所述处理对象的膜进行蚀刻：第1工序，供给所述络合物化气体，并使该气体吸附在所述膜，之后使所述晶片的温度升高，从而在所述膜表面形成有机金属络合物，并进行气化以使所述有机金属络合物脱离；和第2工序，供给所述络合物化气体，并在较低的温度下使所述络合物化气体吸附在所述膜表面，之后停止所述络合物化气体的供给，然后使所述晶片的温度阶段性地升高，从而使形成在所述膜表面的有机金属络合物气化而脱离。
主权项：1.一种半导体制造方法，向处理室内供给将过渡金属进行络合物化的络合物化气体，从而对配置在容器内部的处理室内的半导体的晶片的上表面的包含所述过渡金属的处理对象的膜进行蚀刻，所述半导体制造方法具有：第1工序，供给所述络合物化气体并实施：使所述络合物化气体吸附在所述膜，进而在此之后使所述晶片的温度升高，使在所述膜的表面形成的有机金属络合物气化并使所述有机金属络合物脱离的步骤；和第2工序，供给所述络合物化气体，并在较低的温度下使所述络合物化气体吸附在所述膜的所述表面而形成有机金属络合物之后，停止所述络合物化气体的供给的状态下，使所述晶片的温度阶段性地升高而将形成在所述膜的所述表面的所述有机金属络合物气化而使所述有机金属络合物脱离，基于对所检测出的所述处理对象的膜的剩余厚度和规定的值进行比较的结果，选择所述第1工序以及所述第2工序的任一个来对所述膜进行蚀刻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社日立高新技术 半导体制造方法
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