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申请/专利权人：株式会社日本显示器
摘要：半导体装置10具有：设置在绝缘表面之上的氧化物半导体层140；设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层150；和隔着栅极绝缘层而设置在氧化物半导体层之上的栅电极160，栅电极从栅极绝缘层侧起依次具有含钛层162及导电层164，栅极绝缘层包括与栅电极重叠的第一区域152和与栅电极不重叠的第二区域154，含钛层的厚度T3为第一区域中的厚度T1的50％以下。
主权项：1.半导体装置，其具有：设置在绝缘表面之上的氧化物半导体层；设置在所述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；和隔着所述栅极绝缘层而设置在所述氧化物半导体层之上的栅电极，所述栅电极从所述栅极绝缘层侧起依次具有含钛层及导电层，所述栅极绝缘层包括与所述栅电极重叠的第一区域和与所述栅电极不重叠的第二区域，所述含钛层的厚度为所述第一区域中的所述栅极绝缘层的厚度的50％以下。
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