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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括单元有源区域；字线，所述字线位于所述单元有源区域上；位线，所述位线电连接到所述单元有源区域；连接结构，所述连接结构位于所述字线中；以及字线接触插塞，所述字线接触插塞与所述连接结构接触。所述字线可以包括栅电极，并且所述连接结构可以设置在所述栅电极上。所述连接结构和所述栅电极可以包括彼此不同的材料。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括单元有源区域；字线，所述字线位于所述单元有源区域上，所述字线包括栅电极；位线，所述位线电连接到所述单元有源区域；连接结构，所述连接结构位于所述字线中并且位于所述栅电极上，所述连接结构和所述栅电极包括彼此不同的材料；以及字线接触插塞，所述字线接触插塞与所述连接结构接触。
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