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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社
摘要：一种半导体器件，包括：具有第一主表面和第二主表面的半导体衬底、多个层间介电膜和堆叠在第一主表面上的多个布线层。多个层间介电膜中的每个层间介电膜插入多个布线层中的两个相邻布线层之间以及在第一方向上最靠近第一主表面的多个布线层中的一个布线层与第一主表面之间。朝向第二主表面凹陷的沟槽形成在第一主表面上。沟槽包括沿第二方向延伸的直线部分。多个布线层具有在第一方向上离第一主表面最远的第一布线层和在第一方向上与第一布线层相邻的离第一主表面最远的第二布线层。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一主表面和第二主表面，所述第二主表面是所述第一主表面的相对表面；多个层间介电膜，沿第一方向堆叠在所述第一主表面上，所述第一方向是所述第一主表面的法线方向；和多个布线，其中朝向所述第二主表面凹陷的沟槽形成在所述第一主表面上，其中所述沟槽包括沿与所述第一方向正交的第二方向延伸的直线部分，其中所述多个层间介电膜包括：第一层间介电膜，被设置成在所述第一方向上离所述第一主表面最远；和第二层间介电膜，被设置成在所述第一方向上与所述第一层间介电膜接触，其中所述多个布线包括：第一布线，被设置在所述第一层间介电膜上；和第二布线，被设置在所述第二层间介电膜上以便被所述第一层间介电膜覆盖，其中所述第一布线包括第一布线部分，其中在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上，所述第一布线部分包括：第一端；和第二端，所述第二端为所述第一端的相对端，其中所述第二布线包括第二布线部分，其中在所述第三方向上，所述第二布线部分包括：第三端；和第四端，所述第四端为所述第三端的相对端，其中所述直线部分与所述第三方向上的所述第一端之间的距离比所述直线部分与所述第三方向上的所述第二端之间的距离小，并且是第一厚度的0.5倍或小于0.5倍，所述第一厚度是所述第一布线在所述第一方向上的厚度，并且其中所述第三方向上的所述第一端与所述第三端之间的距离比所述第三方向上的所述第一端与所述第四端之间的距离小，并且比所述第一厚度的0.5倍大。
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