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申请/专利权人：派德芯能半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种具有PMOS结构的IGBT器件，包括从下到上依次设置的集电极、P+集电区、缓冲层和漂移区，所述漂移区内横向依次形成有第一浮空区、PMOS区、第二浮空区以及NMOS区，其中，所述PMOS区内设置有PMOS结构，所述NMOS区内设置有NMOS结构。本发明的具有PMOS结构的IGBT器件，其能够在降低器件EMI噪声的同时不产生Vcesat参数的劣化。
主权项：1.一种具有PMOS结构的IGBT器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的集电极、P+集电区、缓冲层和漂移区，所述漂移区内横向依次形成有第一浮空区、PMOS区、第二浮空区以及NMOS区，其中，所述PMOS区内设置有PMOS结构，所述NMOS区内设置有NMOS结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 派德芯能半导体(上海)有限公司 具有PMOS结构的IGBT器件
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