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申请/专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
摘要：一种装置包括一个绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管是电耦合的，还可选择结构耦合的。
主权项：1.一种半导体装置，包括：一个绝缘栅双极晶体管IGBT，其栅极包括形成在延伸到第一导电类型的漂移区中的第一屏蔽电极顶部上的栅极绝缘层，所述绝缘栅双极晶体管还具有与第一导电类型相反的第二导电类型的注入层，在漂移区和注入层之间的第一导电类型的缓冲层，以及在缓冲层和注入层之间的第一导电类型或第二导电类型的轻掺杂层；一个超级结金属氧化物半导体场效应晶体管SJ-MOSFET，其具有第一导电类型的漂移区、第一导电类型的重掺杂底层，其中IGBT和SJ-MOSFET在结构上通过公共衬底耦合，其中绝缘栅双极型晶体管的发射极和超级结金属氧化物半导体场效应晶体管的源极通过一接触金属导电耦合，其中绝缘栅双极晶体管的集电极和超级结金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极通过背面接触金属导电耦合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 万国半导体国际有限合伙公司 改良IGBT的轻负荷效率
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