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高侧NMOS功率管的反接保护电路及电源管理芯片 

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申请/专利权人:杭州拓尔微电子有限公司

摘要:本申请公开了一种高侧NMOS功率管的反接保护电路及电源管理芯片。其中,高侧NMOS功率管的反接保护电路,包括:栅极关断单元,连接于电源电压与高侧NMOS功率管的栅极之间,用于在电源与地反接时,关闭高侧NMOS功率管的栅极;衬底切换单元,连接于地与高侧NMOS功率管的衬底之间,用于在电源与地反接时,将高侧NMOS功率管的衬底与漏极连接;隔离端口限流单元,连接于电源电压与高侧NMOS功率管的隔离端口之间,用于在电源与地反接时,限制流过高侧NMOS功率管自身的寄生二极管的电流。本申请中,能够在片内实现高侧NMOS功率管的反接保护的同时,确保高侧NMOS功率管维持运行效率,不会出现不必要的效率损耗,同时也能够节省整体成本。

主权项:1.一种高侧NMOS功率管的反接保护电路,其特征在于,包括:栅极关断单元,连接于电源电压与所述高侧NMOS功率管的栅极之间,用于在电源与地反接时,关闭所述高侧NMOS功率管的栅极;衬底切换单元,连接于地与所述高侧NMOS功率管的衬底之间,用于在电源与地反接时,将所述高侧NMOS功率管的衬底与漏极连接;隔离端口限流单元,连接于电源电压与所述高侧NMOS功率管的隔离端口之间,用于在电源与地反接时,限制流过所述高侧NMOS功率管自身的寄生二极管的电流。

全文数据:

权利要求:

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