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申请/专利权人：芯合电子(上海)有限公司
申请日：2024-01-24
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118150963A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本申请实施例提供了一种新型PMOS功率管电应力测试电路及方法，通过所述控制电路控制所述第一开关关断，同时控制所述第二控制管导通后产生的电流使所述第一控制管产生偏置电压，进而通过所述第一控制管控制所述功率管导通；通过第一与门控制第二开关管导通，测试所述第二开关第二端连接的测试引脚确定所述功率管栅端是否漏电。本申请实施例无开关管串联在PMOS功率管栅端和第一控制管之间，在PMOS功率管工作且无电压力测试时，第一开关管不会关断，所以不会带来电源芯片不工作的风险。
主权项：1.一种新型PMOS功率管电压力测试电路，其特征在于，包括：控制电路、第一开关、第二开关、第一控制管、第二控制管和功率管；所述控制电路输出端与所述第一开关第一端连接，所述第一开关第二端与所述第一控制管连接，所述第一开关第三端与电源连接；所述第一控制管设置在所述第二控制管和第一开关之间，所述第一控制管与所述功率管连接，所述第二开关第二端与所述第一控制管和所述功率管之间的公共端连接，所述第二开关第一端与第一与门连接；控制所述第二控制管导通后产生的电流，使所述第一控制管产生偏置电压，进而通过所述第一控制管控制所述功率管导通，通过所述控制电路控制所述第一开关关断，且通过所述第一与门控制第二开关管导通后，通过测试所述第二开关第二端连接的测试引脚确定所述功率管栅端是否漏电。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯合电子(上海)有限公司 一种新型PMOS功率管电压力测试电路及方法
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