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申请/专利权人：深圳市中科鑫维电子科技有限公司
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118258448A
主分类号：G01D21/02
分类号：G01D21/02;G01H9/00;G01R31/00;G01R31/28;G01B11/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及芯片测试领域，尤其涉及一种芯片测试方法及芯片测试设备。该方法包括以下步骤：对芯片进行芯片布局结构解析，以生成芯片布局结构图；基于芯片布局结构图标记芯片关键节点；对芯片关键节点进行红外线光聚焦照射处理，以获取节点光学信号数据；基于节点光学信号数据以得到动态条纹振动分布数据；对动态条纹振动分布数据进行振动频率峰值计算，以生成振动频率峰值；基于预设的频率分布曲线对振动频率峰值进行异常节点识别，标记异常元件节点；对异常元件节点进行多频瞬态电压激励，生成瞬态特征数据；对瞬态特征数据进行动态电压演化挖掘处理，以得到非稳态电压速率分布数据。本发明实现了高效、准确的芯片测试。
主权项：1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：对芯片进行芯片布局结构解析，以生成芯片布局结构图；基于芯片布局结构图标记芯片关键节点；步骤S2：对芯片关键节点进行红外线光聚焦照射处理，以获取节点光学信号数据；基于节点光学信号数据以得到动态条纹振动分布数据；步骤S3：对动态条纹振动分布数据进行振动频率峰值计算，以生成振动频率峰值；基于预设的频率分布曲线对振动频率峰值进行异常节点识别，标记异常元件节点；步骤S4：对异常元件节点进行多频瞬态电压激励，生成瞬态特征数据；对瞬态特征数据进行动态电压演化挖掘处理，以得到非稳态电压速率分布数据；步骤S5：基于非稳态电压速率分布数据进行临近节点电磁响应分析，以生成临近节点电磁响应数据；基于临近节点电磁响应数据进行异常元件节点电磁兼容性分析，以生成节点电磁兼容性数据；步骤S6：通过非稳态电压速率分布数据及节点电磁兼容性数据构建异常节点特征图谱；对异常节点特征图谱进行异常节点故障预测，以构建芯片优化决策策略，以执行芯片测试作业。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市中科鑫维电子科技有限公司 一种芯片测试方法及芯片测试设备
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