申请/专利权人：广东天域半导体股份有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117921468A

主分类号：B24B7/22

分类号：B24B7/22;B24B1/00;B24B57/02;B24B29/02;B24B55/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种减少减薄碳化硅纹路的方法，包括以下步骤：对已作减薄处理的碳化硅晶片进行粗抛光处理，对碳化硅晶片进行分组；将碳化硅晶片分成两次加工，将已装载碳化硅晶片的陶瓷盘放进抛光头内，将抛光液完全覆盖抛光盘；运行抛光机进行抛光作业，抛光过程中的抛光温度≤40℃；将粗抛光处理后的碳化硅晶片作超声清洗处理，溶液比例：30％过氧化氢：水＝1:9～1:11，超声清洗时间设定为10～20min；对已完成超声清洗的碳化硅晶片进行细抛光处理，对碳化硅晶片进行分组；所述抛光盘和抛光头反转抛光加工；细抛光完成后，用纯水清洁碳化硅晶片正反面；本发明能够有力提高抛光质量，降低成本，提高生产效率。

主权项：1.一种减少减薄碳化硅纹路的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：对已作减薄处理的碳化硅晶片进行粗抛光处理，对碳化硅晶片进行分组，按每小组厚度相差在±5μm之间进行分组；分别装载在贴有吸附垫的陶瓷盘上；步骤S2：称量氧化铝抛光液原液，搅拌均匀后倒入料桶中；步骤S3：将碳化硅晶片分成两次加工，第一次为抛光盘和抛光头正转抛光加工；第二次为抛光盘和抛光头反转抛光加工；步骤S4：抛光前，将抛光机清洁干净，无明显颗粒和液体残留；将已装载碳化硅晶片的陶瓷盘放进抛光头内，将抛光液完全覆盖抛光盘；步骤S5：运行抛光机进行抛光作业，抛光过程中的抛光温度≤40℃；步骤S6：将粗抛光处理后的碳化硅晶片作超声清洗处理，溶液比例：30％过氧化氢：水＝1:9～1:11，超声清洗时间设定为10～20min；步骤S7：对已完成超声清洗的碳化硅晶片进行细抛光处理，对碳化硅晶片进行分组，按每小组厚度相差在±5μm之间进行分组；分别装载在贴有吸附垫的陶瓷盘上；步骤S8：称量氧化铝抛光液原液，搅拌均匀后倒入料桶中；所述抛光盘和抛光头反转抛光加工；步骤S9：细抛光完成后，用纯水清洁碳化硅晶片正反面，冲刷抛光液残留结晶，然后把已处理的晶片放入泡水中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东天域半导体股份有限公司 一种减少减薄碳化硅纹路的方法

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